Александр Иванович Шокин. Портрет на фоне эпохи

Первоначально при создании интегральных схем ориентировались на так называемую гибридную технологию, когда на керамическую подложку наносятся (напыляются) проводники, резисторы, конденсаторы, а затем в нужных местах припаиваются бескорпусные транзисторы. Затем все это помещается в корпус. В Зеленограде первоначально больше внимания уделялось именно этому направлению микроэлектроники. То, что главными в ближайшие годы станут твердотельные полупроводниковые микросхемы, создаваемые по планарной технологии, для большинства было еще не очевидно.

В 1965 году на предприятиях Центра микроэлектроники уже было введено в строй 60 тысяч квадратных метров площадей, работало несколько тысяч человек. Усилиями НИИ точной технологии (директор В.С. Сергеев, главный инженер А.К. Катман) была разработана технология современных для того периода гибридных микросхем (ГИС) и начато их производство во введенных в строй корпусах завода «Ангстрем» – первого в стране специализированного завода по производству микросхем. Уровень этой технологии был очень высок, с применением оригинальных решений. Например, впервые в мире, задолго до Запада, здесь была придумана и широко внедрена лазерная подгонка элементов ГИС микросхем на оборудовании собственной разработки и изготовления.

По тонкопленочной технологии к осени 1963 г. в НИИМП был разработан самый маленький в мире радиоприемник «Микро». Первые его образцы были продемонстрированы Хрущеву, который распорядился патентовать все, что было связано с его изготовлением. В свои поездки в Данию, Швецию, Норвегию, Египет Хрущев брал микроприемники для подарков. Приемник «Микро» стал первым в СССР микроэлектронным изделием, которое серийно выпускалось промышленно. Пленочная технология потом была внедрена на предприятиях отрасли в Вильнюсе, Риге, Киеве. Выступая на Коллегии 2 октября 1964 г. и ставя задачи на 8-ю пятилетку, Председатель комитета призывал: «смелее браться за разработку узлов и блоков РЭА. Американцы в восторге от советских микроприемников, но успокаивают себя: «Русские долго организуют серийную технологию и не умеют торговать».

Но твердотельные микросхемы наступали, и после начала работ по планарной технологии в НИИ-35 в составе Научного центра в 1964 году для решения задач создания твердотельных интегральных схем был создан новый НИИ – молекулярной электроники. Пока под руководством первого директора И.А. Гуреева (по специальности строителя) в Зеленограде строился корпус института, в Москве в НИИ-35 родился первоначальный коллектив НИИМЭ. О том, что было дальше, вспоминает ныне академик К.А. Валиев:

«В конце 1964 года я был приглашен к министру, А.И. Шокину для беседы по поводу возможного назначения директором НИИ молекулярной электроники. Помню, встреча была не одна – решения о таких назначениях принимались, видимо, взвешенно. Помню также вопрос о здоровье: каково оно у меня? Я отвечал, что работоспособность у меня хорошая. В январе 1965 года на одном заседании коллегии Комитета по электронной технике были назначены два зеленоградских директора: Савин Виктор Васильевич – и.о. директора НИИТМ, и я – и.о. директора НИИМЭ. <…>

В начале 1965 года коллектив НИИМЭ уже способен был к каким-то конкретным действиям на ниве микроэлектроники. Но с чего начинать? Первые шаги реальных действий института полностью определялись А.И. Шокиным. Прежде всего он предложил перевести всех в Зеленоград. Здание НИИМЭ не готово. Был выделен один пролет в цехе завода «Элион» – примерно 1000 кв. м. Расположились прямо в цехе за рабочими столами, работаем. Над чем? Задача определена А.И. Шокиным: надо создать цех по производству бескорпусного «планарного» транзистора «Плоскость» (разработка НИИ «Пульсар»). В этой разработке аккумулирован отечественный опыт планарной технологии на кремнии, основные процессы которого пригодны и для изготовления интегральных схем. Для цеха выделен один пролет в «чистом» зале завода «Компонент». Примерно 1000 кв. м, рядом со строящимся зданием НИИМЭ.

Где взять оборудование для цеха? Совместно с нашими инженерами специалисты НИИ точного машиностроения в течение 6–9 месяцев разработали, изготовили и поставили полный комплект оборудования линии «Плоскость», включая установки для литографии и диффузионные печи» [303].

В 1966 году здание НИИМЭ сдали в эксплуатацию, а его разработчиками были созданы технологии и начат выпуск первых серий полупроводниковых микросхем «Иртыш» (дифференциальная пара транзисторов), «Логика», «Микроватт».

Стремление А.И. к скорейшему внедрению разработок в практику и стиль его работы на примере полупроводниковых приборов и интегральных схем прослеживаются особенно хорошо.

Председатель Совмина заинтересовался микроэлектроникой

Одной из главных и одновременно одной из самых сложных задач было создание специального технологического оборудования, особенно оптико-механического. Планарная технология построена на многократном повторении фотолитографического процесса, в результате которого на кремниевой пластине создаются защищенные и незащищенные фоторезистом области. Последние подвергаются соответствующей технологической обработке, после которой вновь поступают на следующий цикл фотолитографии. При этом точности совмещения изображений в последующих циклах должны быть много меньше технологических минимальных размеров создаваемого на кремниевой пластине элемента. В 1968 году они составляли 8—10 мкм, а в 1970 – уже 2–5 мкм. Естественно, оптико-механическое оборудование, в частности фотоштампы, установки совмещения и экспонирования пластин, обеспечивающее фотолитографические процессы с такой точностью, попадало под торговое эмбарго западных стран. Отечественные же оптики-механики из Министерства оборонной промышленности (ГОИ и ЛОМО) под любыми предлогами отказывались от разработки нужных систем.

Поэтому решение этой задачи было возложено на вновь организованное в составе Центра КБ-5 в Минске. Впоследствии оно стало самостоятельным и получило название Конструкторское бюро точного электронного машиностроения (КБТЭМ). Первым его директором, И.М. Глазковым, был создан замечательный коллектив, прекрасное оптическое и механическое производство. К созданию оптико-механического оборудования была привлечена также широко известная фирма «Карл Цейс, Йена» (ГДР). В кратчайшие сроки КБТЭМ было оснащено самым современным зарубежным и отечественным обрабатывающим оборудованием, что в эпоху всеобщего распределения было беспрецедентным (вот это была настоящая поддержка!). Начав практически с нуля, предприятие создало и приступило уже в 1963 г. к серийному производству микроманипулятора для разварки выводов ММ-1, явившегося базой для последующих разработок микроманипуляторов, сборочного и фотолитографического оборудования. В последующие два года создаются: гамма установок сборки серии «Контакт» [304], первые отечественные установки совмещения и экспонирования, фотокамеры, фотоповторители, координатографы. Параллельно осуществлялось их серийное производство.

Очень скоро из Зеленограда пошли сотни типов материалов: металлических, полупроводниковых, изолирующих, жидкостей, газов, сложных химических соединений, стекол, керамик и пр. До этого все они или вообще не производились отечественной промышленностью, или по чистоте и другим свойствам совершенно не соответствовали требованиям электроники.

Все это делали люди, собранные в Зеленоград со всей страны из многих научных предприятий и учреждений. Сюда их привлекали возможность получения квартиры, московской прописки и, конечно, интересная работа в самом перспективном направлении науки. Правда, настоящих специалистов в области микроэлектроники еще практически не было, да и не могло быть. Одни становились ими в процессе работы, другие – только начали учиться в вузах по вновь открытым специальностям. Наиболее подготовленные ученые и инженеры, операторы и наладчики пришли из НИИ-35 и НИИ-311 («Сапфир»). Самый многочисленный «десант» был с Томилинского завода. Его директор, Б.С. Куржелевский, только-только вывел завод из хронического невыполнения поставок по важнейшим оборонным заказам, но все-таки отпустил более сотни лучших своих специалистов на развитие отечественной микроэлектроники.