Александр Иванович Шокин. Портрет на фоне эпохи

Квантовые усилители дециметрового диапазона оказались только быстро отыгранной прелюдией к созданию первого квантового генератора света – рубинового лазера (1960 год, США, Мейман). В нашей стране созданием лазеров активно занялись уже после образования ГКЭТ. Постановлением ЦК и Совмина от 24 марта 1962 года между оборонными госкомитетами были проведены границы ответственности в квантовой электронике и лазерах. За твердотельные лазеры (то есть лазеры на основе ионных кристаллов: рубина, граната и др.) стал отвечать Госкомитет по оборонной технике, традиционно занимавшийся оптикой, ГКЭТ – за полупроводниковые и газовые лазеры (относящиеся к газоразрядным приборам), а также за источники световой накачки. Последнее направление развивалось в созданном по этому постановлению КБ источников высокоинтенсивного света. КБИВИС создавалось на базе исследовательского коллектива, выделенного из МЭЛЗа. Возглавлял новое предприятие, строившееся в Зеленограде, доктор технических наук Э.С. Маршак – сын известного советского поэта. Написанная им монография «Импульсные источники света» вобрала в себя богатейший опыт, накопленный по этому виду газоразрядных приборов, но после смерти своего знаменитого отца младший Маршак решил оставить науку. А предприятие, преобразованное впоследствии в НИИ «Зенит», стало одним из ведущих в квантовой электронике.

Завод полупроводниковых приборов Воронежского совнархоза. Пояснения дает главный инженер В.Г. Колесников. Первый слева – А.Ф. Трутко. 1962 г.

Еще одним предприятием, созданным в ГКЭТ по тому же постановлению для развития квантовой электроники, был НИИ приборостроения (впоследствии НИИ «Полюс»). С момента создания его возглавлял М.Ф. Стельмах. Пройдя фронт, Митрофан Федорович пришел в 108-й институт, где успешно работал над приборами СВЧ-техники. На посту руководителя института совершенно новой направленности в тесном взаимодействии с академиками А.М. Прохоровым и Р.В. Хохловым ему удалось сформировать очень сильный научный коллектив создателей лазерной техники.

Так же, как и во всех других случаях, А.И. неустанно прививал ученым и специалистам нового направления установку на конечный результат и быстрое внедрение научных идей в практику. Созданная в ГКЭТ мощная технологическая база по материалам и специальному оборудованию, позволила без особых капитальных вложений на создание новой инфраструктуры достигнуть быстрых успехов и по твердотельными лазерам. Требования к качеству рубина в этом случае были намного выше, чем для мазеров, но в 1961–1962 годах в ГКЭТ первые лазерные элементы были изготовлены. Пока основная часть кристаллов рубина производилась классическим методом Вернейля (кристаллизацией мелкодисперсного порошка в газовом пламени), так же как для мазеров или часовых камней, но все основные стадии процесса претерпели существенные изменения. Были созданы новые типы кристаллизаторов, усовершенствованы методы производства исходного порошка (пудры) и др. Все это дало возможность получать кристаллы рубина высокого качества, позволившие создать лазеры с высокой эффективностью (к.п.д. до 1,2–1,4 %). Технология и оборудование были отработаны до такого уровня, что через несколько лет машиностроителями МЭПа для Кироваканского завода Минхимпрома в Армении было разработано и изготовлено несколько единиц высокопроизводительных автоматических линий для выращивания часовых и ювелирных рубинов, годовой выпуск которых измерялся центнерами.

Помимо рубина и рутила были разработаны методы выращивания различных кристаллов, активированных неодимом, для лазеров с низким порогом генерации. Наконец, в 1965–1966 годах была разработана технология выращивания кристаллов алюмоиттриевого граната с примесью неодима – материала для твердотельных лазеров непрерывного действия.

Другим классом специальных материалов для квантовой электроники являются нелинейные и электрооптические кристаллы для преобразования частоты и управления пучком лазеров: КДП, ДКДП, АДП др., выращиваемые из водных растворов. Их первые образцы на предприятиях ГКЭТ были получены в 1962 году. Были разработаны методы получения крупных образцов указанных кристаллов с высокой оптической однородностью, создана новая автоматическая аппаратура для выращивания водорастворимых кристаллов, например универсальный кристаллизатор с программным отбором конденсата, с помощью которого вырастили монокристаллы высокой оптической однородности весом до 1,5 кг. В результате в нелинейной оптике были получены рекордные данные, в частности по генерации высших гармоник, и создан перестраиваемый параметрический оптический генератор на кристалле КДП.

Закономерно и типично то, что уже в конце 1963 года НИИ «Полюс», размещенный пока еще на временных площадях, создал макет первой лазерной установки на основе рубина и провел с ее помощью поиск технологических применений. Через год была изготовлена первая партия лазерных технологических установок, которые передали в различные учреждения и на предприятия для изучения возможных областей использования лазерной обработки материалов.

Возвращаясь к проблеме отношений с совнархозами, следует заметить, что А.И. Шокин очень ответственно подходил к вопросам поддержания уровня заводов электронного профиля, хотя формально они ему не подчинялись. Став председателем ГКЭТ, он сумел решить еще одну проблему, не дававшую спокойно жить директорам электронных заводов, особенно находившихся под местным руководством. Неизбежные технологические потери в производстве ИЭТ никак не укладывались в существовавшую систему планирования. А.А.Захаров об этом написал:

«Вспоминается <…> одно выступление в Таврическом дворце, когда первый секретарь обкома партии в докладе упомянул о большом браке при выпуске изделий на заводе «Светлана», где я был директором. Это было в 1948—49 гг. Выступление секретаря обкома в Ленинграде увязывалось с отпуском средств на жилстроительство и указывалось, что при ликвидации потерь от брака можно построить в несколько раз больше жилья. Пришлось выступать с оправданием. Но никто не хотел понять, что такое технологический брак в электровакуумной промышленности, ее сложность.

<… > Горком партии <… > поручил директору института АН СССР <ЛФТИ> академику Иоффе проверить завод и выработать предложения по уменьшению производственного брака. Закончив осмотр завода с группой специалистов от института, он заявил, что никаких предложений по уменьшению брака дать не может из-за сложности технологических процессов. И только много позже, когда организовался Комитет электронной техники и позже Министерство электронной промышленности, первый председатель комитета, первый министр Александр Иванович Шокин при назначении на должность оговорил «на верхах» признание неизбежности частичного технологического брака» [294].

С этого момента во всех новых разработках стал закладываться такой параметр будущего изделия как «процент выхода годных». В своих поездках по стране по действующим или строящимся институтам и КБ своего комитета А.И. Шокин обязательно посещал серийные заводы, старался, используя свой авторитет и влияние, оказать им помощь в решении вопросов в местном совнархозе.

Таких поездок было много. В ноябре 1963 года – на Украину. Во Львове создавалось мощное производство кинескопов. В Киеве А.И. посетил не только свои предприятия, но и техникум при заводе «Арсенал»: изучал опыт подготовки кадров.

Еще более важным было решение вопросов по новому строительству заводов электронной промышленности. Для результативного их обсуждения с местными властями А.И. Шокин в эти поездки отправлялся часто не один, а с первым заместителем председателя ВПК Г.А. Титовым. Так, они ездили в 1963 году по Прибалтике, а в мае 1964 года вместе с А.А. Захаровым состоялась их большая поездка по Кавказу: Пятигорск, Нальчик, отличавшихся особо чистым, свободным от пыли воздухом, далее по Военно-Грузинской дороге, подъем по канатной дороге на Эльбрус, Тбилиси, далее в Армению, в Кировакан и мимо озера Севан – в Ереван. Хорошая была поездка! Хотя А.И. Шокин в первый раз в полной мере познал кавказское гостеприимство, но о деле не забыл. Начали в Грузии делать интегральные схемы, высококачественную бытовую радиоаппаратуру, а в Армении – разъемы, прецизионное спецтехнологическое оборудование и многое другое.