Александр Иванович Шокин. Портрет на фоне эпохи

Работа НИИ-35, начавшаяся в 1953 году, и ЦНИИ-108 уже дала результаты в виде первых советских плоскостных германиевых транзисторов, ставших основой для серийных приборов типа П1, П2, ПЗ и их дальнейших модификаций. К середине пятидесятых производство первых маломощных ВЧ-транзисторов для приемной техники было освоено на заводе «Светлана», что, собственно, и имел в виду Ф.Р Козлов в цитированном выступлении. В течение 1957 года, с которого можно исчислять начало промышленного выпуска полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов) в СССР, было выпущено уже 24 миллиона полупроводниковых приборов, в том числе 2,7 млн транзисторов. Это внушительное, казалось бы, количество было мало. В том же году в США было выпущено уже 28 млн транзисторов, в том числе с недостижимыми пока для советской промышленности показателями по сочетанию рабочей частоты и мощности. Но транзисторами и диодами появление новых полупроводниковых электронных компонентов не исчерпывалось. Массовое применение в радиоэлектронике нашли оксидные полупроводниковые материалы – ферриты: в антенно-фидерных трактах СВЧ, в параметрических усилителях, колебательных контурах радиоаппаратуры и т. д. Особо нужно отметить использование ферритов в ячейках магнитной памяти ЭВМ, заменивших громоздкие блоки на особых электронно-лучевых трубках – потенциалоскопах [275]. Для сосредоточения научно-исследовательских и важнейших опытно-конструкторских разработок в области оксидных магнитных материалов-ферритов и магнито-диэлектриков в 1959 году был образован Всесоюзный научно-исследовательский институт по ферритам (ВНИИ-596). На основе отечественной технологии создания металлоокисного проводящего слоя с высоким удельным сопротивлением были созданы новые ультравысокочастотные сопротивления типа МОУ и ряд других.

Объективно положение с элементной базой было все же неудовлетворительным, а появление интегральной электроники – задачи, для нашей страны многим представлявшейся не решаемой, – еще более усугубляло положение. И чем тяжелее и больше по размерам становились наши ракеты и спутники, тем нетерпимее становилось состояние электронной технологии. В реальной советской жизни эта объективная картина дополнялась характерными организационными сложностями: в электронных компонентах и комплектующих изделиях (сопротивлениях, конденсаторах, трансформаторах, предохранителях и другой подобной продукции) нуждались все приборостроительные отрасли, разделенные к тому же по совнархозам, а занимались ими по-настоящему только в ГКРЭ. А у руководства ГКРЭ, начиная с председателя В.Д. Калмыкова, опытнейшего системщика, погруженного в проблемы создания нового радиоэлектронного вооружения, просто не доходили руки до всех этих технологических и материаловедческих сложностей электронной техники. Такой расклад ответственности позволял смежникам при необходимости списывать свои провалы на ГКРЭ, обвиняя последний в развитии элементной базы в первую очередь для себя (даже если в конкретной ситуации этого не было!). Вопросы применения электровакуумных и полупроводниковых приборов в ракетно-космической технике обостряются до предела. Дело доходит до скандалов, жалобы на ГКРЭ идут к самому Н.С. Хрущеву Чтобы не быть голословным, приведем выдержку из решения Военно-промышленной комиссии от 31 марта 1960 г.:

«В 1959 г. 65 % рекламаций воинских частей были вызваны отказами в работе комплектующих изделий (из-за выхода из строя электровакуумных и полупроводниковых приборов, низкого качества монтажа проводов). Развитие мощностей заводов электровакуумных и полупроводниковых приборов задерживается из-за отсутствия энергетического и специального технологического оборудования. Госкомитеты и некоторые совнархозы медленно решают вопросы по устранению недостатков в изделиях военной техники, выявленных в ходе контрольно-проверочных испытаний, и затягивают доработки по принятым решениям» [276].

Причиной аварии, произошедшей 24 октября 1960 г. при испытании ракеты Р-16 и унесшей 74 человеческие жизни, согласно заключению правительственной комиссии под председательством Л.И. Брежнева явилось «неверное исполнение команды по подрыву пиромембран и самопроизвольное срабатывание пиропатронов газогенератора», что, в свою очередь, «произошло из-за конструктивных и производственных дефектов пульта подрыва, разработанного ОКБ-692 ГКРЭ».

Хотя за аварию никого не наказали – все виновные погибли – 16 ноября 1960 г. научно-технический комитет Совета машиностроения при Совете Министров СССР направил в ЦК КПСС и в правительство обширный доклад, в котором указывалось, что выполнение решений июньского 1959 г. Пленума ЦК КПСС об ускорении научно-технического прогресса находится под угрозой срыва [277]. При этом немалую степень вины машиностроители возложили на недостаточное количество и низкое качество изделий электровакуумной и полупроводниковой промышленности:

«В США еще в 1955–1956 гг. был достигнут ежегодный выпуск электровакуумных приборов в количестве 600 млн шт., то есть в 5–6 раз больше, чем в СССР. Особенно значительно отставание по производству магнетронов, клистронов, ламп бегущей и обратной волны, газоразрядных приборов – игнитронов и тиратронов, импульсных генераторных и модуляторных ламп, электронно-лучевых трубок, электронно-оптических преобразователей. Наши приборы значительно уступают зарубежным по надежности и температурному интервалу работы.

Большое отставание имеется в отечественной промышленности полупроводниковых приборов. В США выпуск полупроводниковых приборов в 1958 г. составил 150 млн шт., в 1959 г. 225 млн шт., а в 1960 г. может вырасти до 300 млн шт. При этом количество типов полупроводниковых приборов только по транзисторам перевалило за 200.

Выпускаемые в СССР полупроводниковые приборы пока недостаточно стабильны и надежны; стоимость их из-за дороговизны микрокристаллических материалов и несовершенства технологии очень высока. Не удовлетворяет потребностей радиоэлектронной промышленности производство радиодеталей и радиокомпонентов, несмотря на то, что за последнее десятилетие объем продукции этой отрасли вырос в 20 раз. Ощущается острый недостаток в ферритовых изделиях, электролитических конденсаторах и сопротивлениях. Годовой выпуск ферритовых сердечников в СССР составляет 25–30 млн шт. в год, а в США – в 10раз больше».

В начале 1961 г. Комиссия Президиума Совета Министров СССР по военно-промышленным вопросам приняла решение придать отечественной электронной промышленности статус отрасли, имеющей стратегическое народнохозяйственное и оборонное значение. Следует подчеркнуть, что в тот момент речь шла только об отраслевой науке и разработке образцов новой электронной и вычислительной техники.

Даже до руководства Советского Союза, увлеченного рекордными весами и размерами ракет и спутников и сверхмощными термоядерными зарядами, стало доходить через тех же ракетчиков, что электроника все больше отстает от потребностей страны. Ждать вступления в строй новых предприятий не было времени. Поэтому продолжалась практика отбора недостроенных зданий у других ведомств под задачи радиоэлектроники. Так, А.И. показывал автору на Нефтехимический институт имени Губкина, как на пример неудавшейся попытки такого рода. Были и курьезные случаи: под задачи расширения разработок и производства мощных электровакуумных СВЧ приборов для ПРО правительство рекомендовало забрать Бутырскую тюрьму [278]. В.Д. Калмыков съездил туда лично и убедился в ее полной непригодности. После этого предложили построить опытный завод с ЦКБ на юго-западе Москвы – будущий НИИ «Титан».

Принимавшиеся меры в виде постановлений по развитию электронной техники оказывались недостаточными – мировой прогресс в этой области шел так быстро, что, несмотря на усилия ГКРЭ, наметилось угрожающее отставание и по количеству, а главное, и по качеству радиоэлектронной аппаратуры. Все эти обстоятельства – и объективные, и субъективные – послужили почвой для созревания идей выделения из ГКРЭ и сосредоточение в самостоятельном ведомстве работ по созданию новых электронных компонентов, о чем свидетельствует вот такое, почти личное, письмо К.И. Мартюшова А.А. Захарову: