Александр Иванович Шокин. Портрет на фоне эпохи

– осуществляет контроль за ходом специальных работ и принимает меры по обеспечению выполнения установленных планов;

– принимает оперативные решения, касающиеся специальных работ, обязательные для министерств и ведомств, а в случаях, требующих утверждения Правительства, вносит свои предложения в Совет Министров СССР.

Для выполнения возложенных на него заданий Специальный комитет имеет свой аппарат.

II. О Первом и Втором главных управлениях при Совете Министров СССР

1. Объединить Первое и Второе главные управления при Совете Министров СССР в одно Главное управление – Первое главное управление при Совете Министров СССР.

2. Освободить т. Ванникова Б.Л. от обязанностей начальника Первого главного управления при Совете Министров СССР в связи с переходом его на работу в Специальный комитет.

3. Назначить т. Завенягина А.П. начальником Первого главного управления при Совете Министров СССР.

4. Назначить:

т. Славского Е.П. – первым заместителем начальника главка т. Павлова Н.И. – заместителем начальника главка

Председатель Совета Министров Союза ССР Г. Маленков

Управляющий делами Совета Министров СССР М. Помазнев»

М.Г. Первухин сумел быстро разобраться в обстановке и за недолгое время пребывания на должности министра МЭСЭП успел сделать важнейшее дело – создать первый институт полупроводниковой электроники.

Огромное будущее транзисторов было тогда видно далеко не всем. Скорее наоборот, многие считали, что никакого серьезного применения у них быть не может вследствие слабой повторяемости параметров, неустойчивости к температурным изменениям и т. д. Такого инновационного органа, каким был Комитет радиолокации, уже не существовало, главные фрязинские люди были вакуумщики до мозга костей, все их заботы были в тот момент связаны с обеспечением виброустойчивости ламп.

Полупроводники от этого только отвлекали, тем более что детекторы НИИ-160 нашли применение не только в радиолокационной технике. Так, в июне 1950 года директор ИТМиВТ АН СССР академик М. Лаврентьев и заведующий лабораторией № 1, действительный член Академии наук УССР С.А. Лебедев направили в адрес НИИ-160 письмо с техническим заданием на германиевые детекторы, разрабатываемые НИИ-160 по постановлению СМ СССР от 11 января 1950 года. В августе 1951 года согласно другому постановлению СМ СССР институт должен был поставить Академии наук СССР 500 шт. кремниевых детекторов для использования в первых разрабатываемых в СССР электронно-вычислительных машинах МЭСМ (малая электронная счетная машина) и БЭСМ (быстродействующая электронная счетная машина).

Неудивительно, что первый успех в виде макета транзистора, созданный в лаборатории А.В. Красилова С. Мадоян, в 1949 году особого развития не получил. «Главный академик Иоффе», хотя и занимался активно полупроводниками, тоже не увидел приближающейся огромной роли транзисторов. В такой обстановке после передачи в 1952 году производства детекторов на Томилинский завод собственные цеха детекторов в НИИ-160 были ликвидированы, а многие сотрудники полупроводниковых подразделений уволены.

И так шло до ноября 1952 года, пока не вышел в свет специальный номер наиболее авторитетного радиотехнического журнала США «Труды института радиоинженеров», полностью посвященный транзисторам. Тут же в декабре по распоряжению заместителя начальника ТГУ Щукина заместитель министра промышленности средств связи Г.П. Казанский созвал совещание по этому вопросу и дал поручение его участникам подготовить предложения. В начале 1953 г. назначенный заместителем министра обороны А.И. Берг, со свойственным ему стремлением ко всему новому подготовил письмо в ЦК КПСС о развитии работ по транзисторам. Не позже мая М.Г. Первухин у себя в Кремле провел первое совещание с участием академиков А.И. Берга и А.Ф. Иоффе, посвященное развитию работ по полупроводникам и подготовке соответствующего постановления. Вот на этом совещании и были признаны необходимыми организация специализированного НИИ в составе МЭСЭП и развитие работ по полупроводникам в Академии наук.

Вскоре после этого Первухин специально поехал в НИИ-160, чтобы познакомиться с работами лаборатории полупроводников А.В. Красилова. Вопреки мнению своего первого заместителя, который считал, что и ОКБ будет достаточно, министр настоял, чтобы в постановлении было оговорено создание именно НИИ. В постановление были включены также пункты о создании межведомственного совета по полупроводникам под председательством заместителя министра В.И. Сифорова (а позднее – А.А. Захарова). Его членами были А.И. Берг, А.Ф. Иоффе и Б.М. Вул. Не забыли включить в текст постановления и организацию подготовки специалистов по полупроводникам. В конце мая и в июне подготовка постановления по полупроводникам вступила в заключительную стадию. Разместить новый НИИ было решено в Москве на площадях одного из ОКБ

б. Министерства электротехнической промышленности. Занимались там, в основном магнитами, в том числе для магнетронов, и против перехода ОКБ на полупроводниковую тематику возражали и руководство, и сотрудники, и особенно партийная организация. Вновь пришлось преодолевать возражения первого заместителя министра, так как это ОКБ было его любимым детищем. Зато для уцелевших специалистов полупроводникового направления из Фрязина возможность перейти в специализированный НИИ была хорошей вестью. Они и составили костяк специалистов нового института.

Какое-то время транзисторное направление продолжало интенсивно развиваться и в лаборатории С.Г. Калашникова в ЦНИИ-108. Оба института активно сотрудничали, в частности – в решении проблемы повышения выходной мощности и рабочих частот транзисторов, и в результате родилась идея нового технологического процесса «сплавления-диффузии», на основе которого на «Светлане» начали выпускать серийные германиевые транзисторы П1 и П2. Но в 1957 году А.И. Берг создал в системе Академии наук СССР новый Институт радиоэлектроники, который сам же и возглавил, сотрудники, занимавшиеся полупроводниковыми проблемами, перешли туда, и в ЦНИИ-108 это направление было свернуто.

А в Томилине уже шел серийный выпуск полупроводниковых детекторов для радиолокаторов, причем если обычные их типы получались неплохо, то миллиметровые (8-мм диапазона) никак не могли пройти военную приемку. Они были разработаны в 1950—52 годах в НИИ-160, прошли госиспытания и поначалу производились в цехе полупроводниковых приборов опытного завода. Механической основой конструкции таких детекторов являлся отрезок миллиметрового волновода, и конструктивно они были достаточно сложны. Руководство завода обвинило в неудачах главного конструктора приборов А.В. Красилова, хотя можно предположить, что, скорее, это было связано с недостаточной квалификацией самих заводчан, и пожаловалось в министерство. Рассмотрение жалобы было поручено А.И. Шокину. Вот как вспоминал эти события их «виновник»:

«<…> Особенно мне запомнилось рассмотрение им вопроса о производстве 8-миллиметровых детекторов на Томилинском заводе. Применение этих детекторов позволяло авиационным радиолокаторам со значительной высоты рассматривать не только группы зданий и сооружений, но и отдельные дома. <…> И если производство других типов детекторов, хотя и с трудностями, но было на заводе налажено, то миллиметровые детекторы научились делать с большим трудом. Я, как главный конструктор этих приборов, затратил много сил на перевод производства детекторов из НИИ «Исток» на Томилинский завод.

<…> Когда я был вызван к А.И. Шокину, то был поражен тем, как глубоко и детально он разобрался в проблеме. Он лично рассмотрел все вопросы разработки миллиметровых детекторов. Изучил отчеты по разработке, материалы испытаний, чертежи прибора и аппаратуры, на которой он собирался и контролировался. Дал ряд толковых указаний по его сборке. И, что самое главное, освободил меня от частых нервных и неприятных поездок в Томилино. Ведь я в то время был исключительно сильно загружен созданием нового отдела в НИИ «Пульсар» и разработкой новых видов транзисторов».