Введение в электронику
Введение в электронику читать книгу онлайн
Книга известного американского специалиста в простой и доступной форме знакомит с основами современной электроники. Основная ее цель — теоретически подготовить будущих специалистов — электриков и электронщиков — к практической работе, поэтому кроме детального изложения принципов работы измерительных и полупроводниковых приборов, интегральных микросхем рассмотрены общие вопросы физики диэлектриков и полупроводников. Обсуждение общих принципов микроэлектроники, описание алгоритмов цифровой обработки информации сопровождается примерами практической реализации устройств цифровой обработки сигналов, описаны принципы действия и устройство компьютера. Книга снабжена большим количеством примеров, задач и упражнений, выполнение которых помогает пониманию и усвоению материала. Предназначена для учащихся старших курсов средних специальных учебных заведений радиотехнического профиля, а также будет полезна самостоятельно изучающим основы электроники.
Внимание! Книга может содержать контент только для совершеннолетних. Для несовершеннолетних чтение данного контента СТРОГО ЗАПРЕЩЕНО! Если в книге присутствует наличие пропаганды ЛГБТ и другого, запрещенного контента - просьба написать на почту [email protected] для удаления материала
2. Ковалентная связь — это процесс совместного использования электронов атомами. Когда атомы полупроводника совместно используют электроны, их валентные оболочки становятся полностью заполненными, что обеспечивает стабильность.
3. В чистом полупроводниковом материале валентные электроны при низких температурах сильно связаны с атомами и не могут поддерживать ток. При повышении температуры валентные электроны начинают возбуждаться и разрывают ковалентную связь, что позволяет электронам дрейфовать от одного атома к другому. При дальнейшем увеличении температуры материал начинает вести себя как проводник. При очень высоких температурах кремний проводит ток, как обычный проводник.
4. Для того чтобы превратить образец чистого кремния в материал n-типа, кремний легируется атомами, имеющими пять валентных электронов, которые называются пятивалентными материалами, такими как мышьяк и сурьма.
5. Когда к материалу проводника n-типа приложено напряжение, свободные электроны, появившиеся благодаря атомам донора, начнут перемещаться по направлению к положительному выводу. Дополнительные электроны, вырванные из ковалентных связей, также начнут перемещаться по направлению к положительному выводу.
1. Диод на основе р-n-перехода позволяет току течь только в одном направлении.
2. Диод проводит ток только тогда, когда он смещен в прямом направлении. Это означает, что положительный вывод источника тока подсоединен к материалу р-типа, а отрицательный вывод источника тока подсоединен к материалу типа n.
1. В стабилизаторе напряжения на основе стабилитрона последний включен последовательно с резистором, и выходное напряжение снимается со стабилитрона. Стабилитрон противодействует увеличению входного напряжения, поскольку при увеличении тока его сопротивление падает. Изменение входного напряжения появляется на последовательно включенном резисторе.
2. Для проверки стабилитрона требуются блок питания, токоограничивающий резистор, амперметр и вольтметр. Вольтметр подсоединяется параллельно стабилитрону. Выходное напряжение постепенно увеличивается до тех пор, пока ток через стабилитрон не станет равным номинальному. После этого ток немного изменяют в обе стороны. Если напряжение на стабилитроне остается постоянным, то стабилитрон работает правильно.
1. Переход эмиттер-база должен быть смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база — в обратном.
2. При проверке транзистора с помощью омметра, исправный транзистор должен иметь низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление при обратном смещении каждого перехода.
3. Для определения того, является транзистор германиевым или кремниевым путем измерения падения напряжения на переходе, используется вольтметр, а не омметр. Идентифицировать выводы сложно, так как трудно определить, где эмиттер, а где коллектор.
4. Тип транзистора (р-n-р или n-р-n) определяется напряжением на его коллекторе. Если вместо транзистора р-n-р включить транзистор n-р-n (или наоборот), то он выйдет из строя.
5. Проверка транзистора с помощью прибора для проверки транзисторов предоставляет больше информации о транзисторе, чем его проверка с помощью омметра.
1. Напряжение отсечки — это напряжение, при котором исчезает ток стока полевого транзистора.
2. Напряжение отсечки дается производителем транзистора при напряжении затвор-исток равном нулю.
3. Полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа (МОП транзистор) проводит, когда напряжение смещения на затворе равно нулю. Это считается нормальным.
4. МОП транзистор обогащенного типа в нормальном состоянии закрыт, и открывается только при подаче на затвор соответствующего напряжения смещения.
5. При работе с МОП транзисторами должны соблюдаться следующие меры предосторожности:
а. До установки его выводы должны быть закорочены.
б. Используйте металлический браслет на запястье для заземления работающей руки.
в. Используйте паяльник с заземленным жалом.
г. Всегда выключайте питание перед установкой МОП транзистора.
1. Диод на основе р-п-перехода имеет один переход и два вывода (анод и катод), а КУВ имеет три перехода и три вывода (анод, катод и управляющий переход).
2. Приложенное к аноду напряжение удерживает КУВ во включенном состоянии даже после удаления напряжения с управляющего перехода. Это позволяет току протекать от катода к аноду.
3. Нагрузочный резистор включается последовательно с КУВ для ограничения тока катод-анод.
4. КУВ можно проверить с помощью омметра или промышленного прибора для проверки транзисторов. Для проверки КУВ с помощью омметра подсоедините положительный вывод к катоду, а отрицательный к аноду. Прибор должен показать высокое сопротивление, превышающее 1 МОм. Поменяйте выводы местами: положительный вывод — к аноду, а отрицательный — к катоду. Прибор опять должен показать высокое сопротивление, превышающее 1 МОм. Соедините управляющий электрод с анодом — сопротивление должно упасть до величины меньшей 1000 Ом. Удалите соединение управляющего электрода с анодом — сопротивление должно остаться низким. Отсоедините выводы и повторите проверку.
5. Диак используется как устройство запуска триака. Он предотвращает включение триака до тех пор, пока на управляющем электроде не будет достигнуто некоторое напряжение.
1. Гибридные интегральные микросхемы содержат монолитные, тонкопленочные, толстопленочные и дискретные компоненты.
2. Чип — это полупроводниковый материал, содержащий интегральную микросхему и имеющий площадь около одного квадратного сантиметра.
3. Резисторы и конденсаторы в интегральной микросхеме не формируются монолитным методом, поскольку требуется достаточно высокая точность соблюдения величины их параметров. Монолитный метод не позволяет получить такую же точность, какую дает тонкопленочная и толстопленочная техника.
1. Самое короткое время отклика на изменения интенсивности света из всех фоточувствительных устройств имеет фотодиод.
2. Фототранзистор имеет более широкую область применений, поскольку у него более высокое усиление. Однако, его время отклика на изменения интенсивности света больше, чем у фотодиода.
3. Чем больше ток, протекающий через светодиод, тем ярче испускаемый им свет. Однако последовательно со светодиодом должен быть включен резистор, ограничивающий ток, для избежания повреждения светодиода.
1. Выбирая трансформатор для блока питания, следует учитывать мощность первичной обмотки, частоту, на которой он будет работать, напряжение и ток вторичной обмотки и общую расчетную мощность трансформатора.